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APTGLQ25H120T2G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTGLQ25H120T2G
    APTGLQ25H120T2G

    APTGLQ25H120T2G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • POWER MODULE - IGBT

  • 22+

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
APTGLQ25H120T2G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類型
  • 溝槽型場(chǎng)截止
  • 配置
  • 全橋
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 1200V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 50A
  • 功率 - 最大值
  • 165W
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 2.42V @ 15V，25A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 50μA
  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
  • 1.43nF @ 25V
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 是
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP2
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APTGLQ25H120T2G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGLQ25H120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200HR120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop 1200V 300A 1000W Through Hole SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:* 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，160A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200H65G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:270A 功率 - 最大值:680W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V, 200A 電流 - 集電極截止（最大值）:75μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 350A 1000W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:350A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200A120T3AG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:2 個(gè)獨(dú)立式 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，160A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG
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