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APTC80H15T3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • APTC80H15T3G
    APTC80H15T3G

    APTC80H15T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTC80H15T3G
    APTC80H15T3G

    APTC80H15T3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APTC80H15T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC80H15T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTC80H15T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC80DSK29T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC80DSK15T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC80DDA29T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC80DDA15T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G APTC90SKM60CT1G APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR
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