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APTD1608LCGCK

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
APTD1608LCGCK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • LED GREEN CLEAR 2SMD
  • 制造商
  • kingbright
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 顏色
  • 綠色
  • 透鏡顏色
  • 無色
  • 透鏡透明度
  • 透明
  • 毫燭光等級
  • 8mcd
  • 透鏡樣式/尺寸
  • 圓形,帶圓頂,0.70mm
  • 電壓 - 正向(Vf)(典型值)
  • 2.65V
  • 電流 - 測試
  • 2mA
  • 視角
  • 60°
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 波長 - 主
  • 570nm
  • 波長 - 峰值
  • 574nm
  • 特性
  • -
  • 封裝/外殼
  • 0603(1608 公制)
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 1608
  • 大小/尺寸
  • 1.60mm 長 x 0.80mm 寬
  • 高度(最大值)
  • 1.05mm
  • 標準包裝
  • 1
APTD1608LCGCK 技術(shù)參數(shù)
  • APTD1608CGCK 功能描述:Green 570nm LED Indication - Discrete 2.1V 0603 (1608 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 顏色:綠 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:190mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形,帶圓頂 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2.1V 電流 - 測試:20mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:570nm 波長 - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0603(1608 公制) 供應(yīng)商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度(最大值):0.95mm 標準包裝:1 APTCV90TL12T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 - IGBT,F(xiàn)ET 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.2V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.77nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTCV60TLM99T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 - IGBT,F(xiàn)ET 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTCV60TLM70T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:100 APTCV60TLM45T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT3 SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 - IGBT,F(xiàn)ET 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTD1608SEC/J3 APTD1608SECK APTD1608SECK/J3-PF APTD1608SECK/J4-PF APTD1608SURCK APTD1608SYC/J3 APTD1608SYCK APTD1608SYCK/J3-PF APTD1608VBC/D APTD1608ZGC APTD1608ZGCK APTD2012LCGCK APTD2012LQBC/D APTD2012LSURCK APTD2012LSYCK APTD2012LVBC/D APTD2012LZGCK APTD3216CGCK
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