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APTC90AM60T1G

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - COOLMOS - Bulk
APTC90AM60T1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTC90AM60SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):59A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90AM602G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):59A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80TDU15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80TA15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80SK15T1G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G
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