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APTC60AM83BC1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
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APTC60AM83BC1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • CoolMOS??
  • 包裝
  • 托盤
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • 3 N 溝道(相角 + 升壓斬波電路)
  • FET 功能
  • 超級結(jié)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 36A
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 83 毫歐 @ 24.5A、 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 3mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 250nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 7200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 250W
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SP1
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP1
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APTC60AM83BC1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTC60AM83B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:3 N 溝道(相角 + 升壓斬波電路) FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):36A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM70T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):39A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):49A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM45BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:3?N 溝道(相角 + 升壓斬波電路) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):49A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM45B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:3?N 溝道(相角 + 升壓斬波電路) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):49A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DHM24T3G APTC60DSKM24T3G APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G
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