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APTC60AM45BC1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTC60AM45BC1G
    APTC60AM45BC1G

    APTC60AM45BC1G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • APTC60AM45BC1G
    APTC60AM45BC1G

    APTC60AM45BC1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTC60AM45BC1G
    APTC60AM45BC1G

    APTC60AM45BC1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 50

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APTC60AM45BC1G
    APTC60AM45BC1G

    APTC60AM45BC1G

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨！只做原裝！

  • APTC60AM45BC1G
    APTC60AM45BC1G

    APTC60AM45BC1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
APTC60AM45BC1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 600V 49A SP1
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • CoolMOS™
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC60AM45BC1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTC60AM45B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:3?N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM42F2G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:66A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:510nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14600pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTC60AM35T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:72A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM35SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:72A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTC60AM24T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:95A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DDAM35T3G APTC60DDAM45T1G APTC60DDAM70T1G APTC60DDAM70T3G APTC60DHM24T3G APTC60DSKM24T3G APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G
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