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APT97N65LC6

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APT97N65LC6
    APT97N65LC6

    APT97N65LC6

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話(huà):0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOSFET N-CH 650V 97A

  • 22+

  • -
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
APT97N65LC6 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • CoolMOS™
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
APT97N65LC6 技術(shù)參數(shù)
  • APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購(gòu)買(mǎi)時(shí)間 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):380A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,95A 功率 - 最大值:446W 開(kāi)關(guān)能量:* 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:29ns/226ns 測(cè)試條件:433V,95A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT95GR65B2 功能描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):208A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):400A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,95A 功率 - 最大值:892W 開(kāi)關(guān)能量:3.12mJ(開(kāi)),2.55mJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:29ns/226ns 測(cè)試條件:433V,95A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT94N65B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):95A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 35.2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):320nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8140pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT94N65B2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):94A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 47A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.8mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):580nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13940pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT94N60L2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 94A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):94A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):640nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:264 MAX? [L2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG
配單專(zhuān)家

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