AOTF10B60D2

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

AOTF10B60D2
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220F
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

AOTF10B60D2
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬(wàn)代
TO220F
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

AOTF10B60D2
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS
TO220F
NA
-
原裝現(xiàn)貨

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1

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功能描述
IGBT 600V 10A TO-220F
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
Alpha IGBT??
零件狀態(tài)
在售
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
23A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
20A
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
1.8V @ 15V， 5A
功率 - 最大值
31.2W
開關(guān)能量
140μJ（開），40μJ（關(guān)）
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
9.4nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值
12ns/83ns
測(cè)試條件
400V，5A，60 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
98ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝
TO-220F
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

AOTF10B60D2 技術(shù)參數(shù)

AOTF10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 42W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:42W 開關(guān)能量:260μJ（開），70μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:17.4nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:10ns/72ns 測(cè)試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:105ns 封裝/外殼:TO-220-3 整包安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:236W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1042pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT9N40L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 8A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:760pF @ 25V 功率 - 最大值:132W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOT8N80L_001 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.63 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1650pF @ 25V 功率 - 最大值:245W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOTF10N90 AOTF10T60 AOTF10T60_001 AOTF10T60L AOTF10T60P AOTF10T60PL AOTF11C60 AOTF11C60_001 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L