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AOTF10N60L_002

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  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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AOTF10N60L_002 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 10A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 750 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 40nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1600pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 50W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220-3F
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AOTF10N60L_002 技術(shù)參數(shù)
  • AOTF10N60_006 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOTF10N60_003 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOTF10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF10N50FD_001 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1240pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOTF10N50FD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1240pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L AOTF12N30 AOTF12N50 AOTF12N60 AOTF12N60FD AOTF12N60FD_001 AOTF12N60L AOTF12N65 AOTF12N65A
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