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ALD1105PBL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • ALD1105PBL
    ALD1105PBL

    ALD1105PBL

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Advanced Linear Devices I

  • MOSFET 2N/2P-CH 10.6

  • 22+

  • -

  • ALD1105PBL
    ALD1105PBL

    ALD1105PBL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • ALD1105PBL
    ALD1105PBL

    ALD1105PBL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1120

  • ADVANCED

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ALD1105PBL 技術(shù)參數(shù)
  • ALD1103SBL 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 和 2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40mA，16mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD1103PBL 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 和 2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40mA，16mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:14-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD1102SAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1102PAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1102BSAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD110802PCL ALD110802SCL ALD110804PCL ALD110804SCL ALD110808APCL ALD110808ASCL ALD110808PCL ALD110808SCL ALD110814PCL ALD110814SCL ALD1108EPCL ALD1108ESCL ALD110900APAL ALD110900ASAL ALD110900PAL ALD110900SAL ALD110902PAL ALD110902SAL
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