ALD110800APCL

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

ALD110800APCL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

ALD110800APCL
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
140
ADVANCED
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

ALD110800APCL
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
Advanced Linear Devices I
22+
-
原裝正品

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條
1

您是不是要找： ALD110800ASCL ALD110800PCL ALD110800SCL ALD110802PCL ALD110802SCL ALD110804PCL ALD110804SCL ALD110808APCL ALD110808ASCL

ALD110800APCL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

ALD110800APCL PDF下載

功能描述
MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD110800APCL 技術(shù)參數(shù)

ALD1107SBL 功能描述:MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 P 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:56 ALD1107PBL 功能描述:MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 P 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:14-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD1106SBL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:56 ALD1106PBL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:14-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1105SBL 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 和 2 P 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD110808PCL ALD110808SCL ALD110814PCL ALD110814SCL ALD1108EPCL ALD1108ESCL ALD110900APAL ALD110900ASAL ALD110900PAL ALD110900SAL ALD110902PAL ALD110902SAL ALD110904PAL ALD110904SAL ALD110908APAL ALD110908ASAL ALD110908PAL ALD110908SAL