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ALD110900APAL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • ALD110900APAL
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • ALD110900APAL
    ALD110900APAL

    ALD110900APAL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 245

  • ADVANCED

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • ALD110900APAL
    ALD110900APAL

    ALD110900APAL

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Advanced Linear Devices I

  • MOSFET 2N-CH 10.6V 8

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
ALD110900APAL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ALD110900APAL 技術參數(shù)
  • ALD1108ESCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.01V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD1108EPCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.01V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD110814SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD110814PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD110808SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):820mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD110908PAL ALD110908SAL ALD110914PAL ALD110914SAL ALD1110EPAL ALD1110ESAL ALD1115MAL ALD1115PAL ALD1115SAL ALD1116PAL ALD1116SAL ALD1117PAL ALD1117SAL ALD111910MAL ALD111910PAL ALD111910SAL ALD111933MAL ALD111933PAL
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