您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 > A字母第2204頁 >

ALD114935PAL

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

ALD114935PAL
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
325
ADVANCED
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124

ALD114935PAL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

ALD114935PAL PDF下載

功能描述
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD114935PAL 技術(shù)參數(shù)

ALD114913SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 2.7V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD114913PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 2.7V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD114904SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:360mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD114904PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:360mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD114904ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:380mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD12A48-6L ALD12A48-L ALD12A48N-6L ALD12A48N-L ALD12A48N-SL ALD12A48-SL ALD13Y48-6L ALD13Y48-L ALD13Y48N-6L ALD13Y48N-L ALD13Y48N-SL ALD13Y48-SL ALD14H ALD1502PAL ALD1502SAL ALD15K48-6L ALD15K48-L ALD15K48N-6L