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參數資料
| 型號： | 93AA66B-I/OTG |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO6 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, SC-74A, SOT-23, 6 PIN |
| 文件頁數： | 4/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 703K |
| 代理商： | 93AA66B-I/OTG |
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93XX46X/56X/66X/76X/86X
DS21929A-page 12
2005 Microchip Technology Inc.
3.5
ERASE ALL (ERAL)
The Erase All (ERAL) instruction will erase the entire
memory array to the logical ‘1’ state. The ERAL cycle is
identical to the Erase cycle, except for the different
opcode. The ERAL cycle is completely self-timed and
commences at the falling edge of the CS, except on
‘93CXX’ devices where the rising edge of CLK before
the last data bit initiates the write cycle. Clocking of the
CLK pin is not necessary after the device has entered
the ERAL cycle.
The DO pin indicates the Ready/Busy status of the
device, if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (TCSL).
VCC must be
≥ 4.5V for proper operation of ERAL.
FIGURE 3-3:
ERAL TIMING FOR 93AAXX AND 93LCXX DEVICES
FIGURE 3-4:
ERAL TIMING FOR 93CXX DEVICES
Note:
After the ERAL command is complete,
issuing a Start bit and then taking CS low
will clear the Ready/Busy status from DO.
CS
CLK
DI
DO
TCSL
Check Status
10
0
1
0
X
X
TSV
TCZ
Busy
Ready
High-Z
TEC
High-Z
Vcc must be
≥ 4.5V for proper operation of ERAL.
CS
CLK
DI
DO
TCSL
Check Status
10
0
1
0
X
X
TSV
TCZ
Busy
Ready
High-Z
TEC
High-Z
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 93LC46B-TE/SN | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93LC46B-TI/OTX | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO6 |
| 93AA46B-I/MSGX | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93AA46C-I/MSGX | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C46B-TE/STX | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 93AA66BT-I/MC | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 4K 256X16 SER EE 1.8V IND RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數據保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| 93AA66BT-I/MNY | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 4K 256X16 SER EE 1.8V IND RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數據保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| 93AA66BT-I/MS | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256x16 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數據保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| 93AA66BT-I/MSG | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256x16 - 1.8V Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數據保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| 93AA66BT-I/OT | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256x16 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數據保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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