參數(shù)資料
型號(hào)： 934055453127
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 525 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： 934055453127
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ403BX
Fig.13. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs = f(t); parameter D = tp/T
Fig.14. Reverse bias safe operating area. T
j ≤ Tj max
Fig.15. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
cl ≤ 1200V; Vcc = 150V; VBB = -5V; LB = 1H;Lc =
200
H
1u
100u
10m
1
100
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
D=0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10u
1m
100m
10
D =
tp
T
P
t
D
tp
BU1706AX
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
0
200
400
600
800
1,000
1,200
1,400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VCEclamp (V)
IC (A)
November 1999
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
934055495115 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
934055496115 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
05W30 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:8; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug
934055500118 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
934055501112 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
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