參數(shù)資料
型號(hào)： 934055453127
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 525 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： 934055453127
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ403BX
Fig.7. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25C = f (Ths)
Fig.8. Typical DC current gain. h
FE = f(IC)
parameter V
CE = 1V
Fig.9. Typical DC current gain. h
FE = f(IC)
parameter V
CE = 5V
Fig.10. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat = f(IB); Tj=25C.
Fig.11. Base-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
BEsat = f(IC); at IC/IB =4.
Fig.12. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat = f(IC); at IC/IB =4.8
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.01
0.10
1.00
10.00
IB/A
VCEsat/V
IC=1A
2A
3A
4A
0.01
0.05
0.1
0.3
1
2
3
5
10
2
5
10
15
20
30
50
80
IC/A
HFE
-40 C
125 C
Tj=25 C
0.1
0.5
1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
IC/A
VBESAT/V
2
510
-40C
25C
Tj = 100C
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
5
10
2
5
10
15
20
30
50
80
IC/A
HFE
-40 C
125 C
Tj=25 C
0.2
0.4
0.6
1
2
5
6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
IC/A
VCESAT/V
Tj = 100C
25C
-40C
November 1999
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
934055495115 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
934055496115 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
05W30 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:8; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug
934055500118 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
934055501112 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
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