參數(shù)資料
型號(hào)： 934055447127
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： 934055447127
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ106A
Fig.7. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25C = f (Tmb)
Fig.8. Typical DC current gain. h
FE = f(IC)
parameter V
CE
Fig.9. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat = f(IB); Tj=25C.
Fig.10. Base-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
BEsat = f(IC); at IC/IB =5.
Fig.11. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat = f(IC); at IC/IB =5.
Fig.12. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb = f(t); parameter D = tp/T
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
IC/A
VBEsat/V
0.01
0.05
0.1
0.3
1
2
5
8
12
2
5
10
15
20
30
50
IC/A
HFE
VCE = 5V
VCE = 1V
0.1
1
10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
IC/A
VCEsat/V
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
IB/A
VCEsat/V
4A
3A
2A
1A
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t p
T
P
t
D
tp
D=
March 1999
4
Rev 2.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
934055449112 40 MHz - 550 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
05W2 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:26; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
934055451118 3.4 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
934055453127 6 A, 525 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
934055495115 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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