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參數(shù)資料
| 型號： | 934019200112 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 40 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT-115J, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 934019200112 |
2001 Oct 25
5
Philips Semiconductors
Product specication
1000 MHz, 18.5 dB gain push-pull amplier
BGY1085A
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A2
max.
c
ee1
q
Q
max.
q1
q2
U1
max.
U2
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
20.8
9.1
0.51
0.38
0.25 27.2 2.54 13.75 2.54 5.08 12.7
8.8
4.15
3.85
2.4
38.1 25.4 10.2
4.2 44.75
8
0.25
0.1
3.8
bF
p
6-32
UNC
y
w
S
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT115J
0
5
10 mm
scale
A
max.
D
max.
L
min.
E
max.
Z
max.
Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;
2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
D
U1
q
q2
q1
b
F
S
A
Z
p
E
A2
L
c
d
Q
U2
M
w
78
9
23
W
e
e1
5
p
1
d
max.
y M B
B
99-02-06
y M B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 934031980113 | 0.01 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 934031980153 | 0.01 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 934032030113 | 0.003 A, 19000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 934032010153 | 0.005 A, 14000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 934031970153 | 0.02 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 934021780115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R |
| 934026020115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 90V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R |
| 934028880135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SC70 |
| 934028900115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 0.2A 3-Pin SC-70 T/R |
| 93403 | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
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