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參數(shù)資料
| 型號： | 71V65703S75PF8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 14/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 972K |
| 代理商： | 71V65703S75PF8 |
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6.42
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
21
Timing Waveform of CS Operation(1,2,3,4)
NOTES:
1.
Q
(A
1)
represents
the
first
output
from
the
external
address
A
1.
D
(A
3)
represents
the
input
data
to
the
SRAM
corresponding
to
address
A
3etc.
2.
CE
2timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
1and
CE
2
signals.
For
example,
when
CE
1and
CE
2are
LOW
on
this
waveform,
CE
2is
HIGH.
3.
When
either
one
of
the
Chip
enables
(
CE
1,
CE2,
CE
2)
is
sampled
inactive
at
the
rising
clock
edge,
a
deselect
cycle
is
initiated.
The
data-bus
tri-states
one
cycle
after
the
init
iation
of
the
deselect
cycle.
This
allows
for
any
pending
data
transfers
(reads
or
writes)
to
be
completed.
4.
Individual
Byte
Write
signals
(
BW
x)
must
be
valid
on
all
write
and
burst-write
cycles.
A
write
cycle
is
initiated
when
R/
W
signal
is
sampled
LOW.
The
byte
write
information
comes
in
one
cycle
before
the
actual
data
is
presented
to
the
SRAM.
R
/W
A
1
C
L
K
A
D
V
/L
D
A
D
R
E
S
C
E
1
,
C
E
2
(2)
O
E
D
A
T
A
O
U
T
Q
(A
1
)
Q
(A
2
)
Q
(A
4
)
tC
LZ
Q
(A
5
)
tC
D
tC
H
Z
tC
D
C
D
(A
3
)
t
D
tH
D
tC
H
tC
L
tC
Y
C
tH
C
tS
C
A
5
A
3
tS
B
D
A
T
A
IN
tH
E
tS
E
A
2
tH
A
tS
A
4
tH
W
tS
W
tH
B
C
E
N
tH
A
D
V
tS
A
D
V
5
298
dr
w
10
B
W
1
-
B
W
4
B
(A
3)
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 71V65703S75BGG | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| IDT71V65903S80B | 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| IDT7210L25PQF | 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64 |
| IDT7281L25SOI | 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28 |
| 7200L20TDB | 256 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, CDIP28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 71V65703S75PFG | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| 71V65703S75PFG8 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| 71V65703S75PFGI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| 71V65703S75PFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 7.5ns 100-Pin TQFP T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 9MBIT 256KX36 7.5NS 100TQFP - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM |
| 71V65703S75PFI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 9MBIT 256KX36 7.5NS 100TQFP - Trays 制造商:IDT 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 9MBIT 256KX36 7.5NS 100TQFP |
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