參數(shù)資料
型號(hào)： 70V25S15PFG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 3/25頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： 70V25S15PFG
6.42
11
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range for 70V25/24(4)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE = VIL, UB or LB = VIL, and SEM = VIH. To access semaphore, CE = VIH or UB & LB = VIH, and SEM = VIL.
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
70V25/24X15
Com'l Only
70V25/24X20
Com'l
& Ind
70V25/24X25
Com'l
& Ind
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.Min.Max.Min.Max.
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
tAA
Address Access Time
____
15
____
20
____
25
ns
tACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
tABE
Byte Enable Access Time(3)
____
15
____
20
____
25
ns
tAOE
Output Enable Access Time(3)
____
10
____
12
____
13
ns
tOH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
3
____
ns
tLZ
Output Low-Z Time(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
tHZ
Output High-Z Time(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
tPU
Chip Enable to Power Up Time(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
tPD
Chip Disable to Power Down Time
(1,2)
____
15
____
20
____
25
ns
tSOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE or SEM)10
____
10
____
10
____
ns
tSAA
Semaphore Address Access(3)
____
15
____
20
____
25
ns
5624 tbl 11a
70V25/24X35
Com'l Only
70V25/24X55
Com'l Only
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
35
____
55
____
ns
tAA
Address Access Time
____
35
____
55
ns
tACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
35
____
55
ns
tABE
Byte Enable Access Time(3)
____
35
____
55
ns
tAOE
Output Enable Access Time(3)
____
20
____
30
ns
tOH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
ns
tLZ
Output Low-Z Time(1,2)
3
____
3
____
ns
tHZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
tPU
Chip Enable to Power Up Time(1,2)
0
____
0
____
ns
tPD
Chip Disable to Power Down Time(1,2)
____
35
____
50
ns
tSOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE or SEM)15
____
15
____
ns
tSAA
Semaphore Address Access(3)
____
35
____
55
ns
5624 tbl 11b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
70V25L25PFGI 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100
70V34S20PFGI 4K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
710-405J12 STEEL, CIRCULAR ADAPTER
710-405J16 STEEL, CIRCULAR ADAPTER
710-405J24 STEEL, CIRCULAR ADAPTER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
70V25S20J 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 128KBIT 8KX16 20NS 84PLCC - Rail/Tube
70V25S20J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 84PLCC 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:20ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:84-LCC（J 形引線） 供應(yīng)商器件封裝:84-PLCC（29.21x29.21） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200
70V25S20PF 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
70V25S20PF8 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
70V25S25G 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 128KBIT 8KX16 25NS 84PIN PGA - Trays
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