參數(shù)資料
型號(hào): 6MBI450U4-120
廠商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT MODULE
中文描述: 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-29
文件頁(yè)數(shù): 11/14頁(yè)
文件大?。?/td> 536K
代理商: 6MBI450U4-120
H04-004-03a
MS5F6020
14
a
11
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=1.1
Ω
Vcc=600V, Ic=450A, VGE=±15V,
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=1.1
Ω
, Tj=25
o
C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=1.1
Ω
, Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
+VGE=15V, -VGE <= 15V, RG >= 1.1
Ω
,
Stray inductance <= 100nH
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=450A, VGE=±15V, Tj=125
o
C
Reverse bias safe operating area (max.)
Tj <= 125
o
C
10
100
1000
10000
0
200
Collector current : Ic [ A ]
400
600
800
ton
tr
toff
tf
S
10
100
1000
10000
0
200
400
600
800
Collector current : Ic [ A ]
tf
tr
toff
ton
S
10
100
1000
10000
0.1
1.0
10.0
100.0
Gate resistance : RG [
Ω
]
toff
tr
ton
S
tf
0
20
40
60
80
100
0
150
300
Collector current : Ic [ A ]
450
600
750
900
Eoff(125
o
C)
S
Eon(125
o
C)
Err(25
o
C)
Eoff(25
o
C)
Eon(25
o
C)
Err(125
o
C)
0
20
40
60
80
100
0.1
1.0
10.0
100.0
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eon
Eoff
Err
0
150
300
450
600
750
900
1050
0
400
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
800
1200
1600
C
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PDF描述
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