參數(shù)資料
型號： 6MBI450U4-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-29
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 536K
代理商： 6MBI450U4-120
H04-004-03a
MS5F6020
14
a
10
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=600V, Ic=450A, Tj=25
o
C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f=1MHz, Tj=25
o
C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
o
C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=125
o
C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
o
C / chip
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
0
2
4
6
8
10
5
10
Gate-Emitter voltage : VGE [ V ]
15
20
25
Ic=225A
Ic=450A
Ic=900A
C
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
Cies
C
Coes
Cres
0
500
1000
Gate charge : Qg [ nC ]
1500
2000
2500
C
G
VGE
VCE
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI450U4-170 IGBT MODULE
6MBI50U4A-120 IGBT MODULE
6MBI75S-060 IGBT Module
6MBI75S-120-01 IGBT Module
6MBI75U2A-060 IGBT module
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參數(shù)描述
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