參數(shù)資料
型號： 6LN04MH
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
中文描述： N溝道MOSFET的硅通用開關器件應用
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 6LN04MH
6LN04MH
No. A0458-3/4
IT11282
0
0.1
0.3
0.5
0.2
0.4
1.0
0.7
0.6
0.8
0.9
0
0.5
1.0
3.0
2.0
1.5
3.5
2.5
4.0
IT11281
7
5
10
0.001
100
3
2
3
2
7
5
1000
3
2
IT11279
IT11278
0.01
Drain Current, ID -- A
2
3
5
2
7
2
3
5
7
0.1
3
5
7
0
10
30
50
15
35
55
20
40
5
25
45
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10
5
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7
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2
2
7
5
1.0
IT11280
2
3
5
7
2
0.01
3
5
7
2
0.1
0.001
2
2
3
5
71.0
2
3
5
710
0.1
td(on)
td(off)
t
tr
VDD=30V
VGS=4V
Ciss
Coss
Crss
VDS=30V
ID=200mA
≤
10
μ
s
100
μ
s
1ms
IDP=800mA
ID=200mA
Operation in this
area is limited by RDS(on).
100ms
10ms
DCopeaion(T=25
°
C
0.1
1.0
1.0
2
3
5
7
Drain Current, ID -- mA
2
10
3
5
7
2
100
3
5
7
10
7
5
3
2
2
100
7
5
3
2
VDS=10V
25
°
C
Ta=75
°
C
0
0
20
40
Ambient Temperature, Ta --
°
C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.7
0.6
60
80
100
120
140
160
IT11283
-25
°
C
f=1MHz
3
5
7
2
1.0
1000
7
5
3
3
5
7100
PD -- Ta
A
Mounedonaceamcboad(900mm
2
08mm
VGS -- Qg
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
y
fs
-- ID
S
F
y
f
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
A S O
C
Total Gate Charge, Qg -- nC
G
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
2
0.8mm)
IS -- VSD
Diode Forward Voltage, VSD -- V
S
IT11322
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.9
0.8
1.0
1.1
0.1
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
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3
2
100
VGS=0V
-5
°
C
2
°
C
T=5
°
C
1000
相關PDF資料
PDF描述
6LP04MH P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
6MBI100F-060 IGBT MODULE
6MI100F-060 IGBT MODULE
6MBI100L-060 IGBT MODULE(L series)
6MBI100S-120 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3120; No. of Contacts:32; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No
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