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參數(shù)資料
| 型號： | 4AM03MH5 |
| 元件分類： | 門電路 |
| 英文描述： | 4A SERIES, 1-INPUT NON-INVERT GATE, PDSO5 |
| 封裝： | MCPH-5 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 4AM03MH5 |
4AM03MH5
No.7432-4/5
020
10
60
50
70
40
30
80
RDS(on) -- IOUT
IT05787
0
50
200
500
350
300
450
400
250
100
150
020
10
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0.5
0.7
1.0
0.6
0.8
0.1
0.3
0.2
0.4
0.9
PD -- Ta
IT05778
Ta=25
°C
V
DD
=5V
10V
15V
25V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Output Current, IOUT -- mA
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
-
W
Mounted on a ceramic board (600mm2!0.8mm)
Ambient Temperature, Ta --
°C
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
0
10
40
50
60
70
80
30
20
0
10
30
40
80
20
60
70
50
IOUT -- VDD
IT05783
IT05784
0
5
15
20
10
25
RDS(on) -- VDD
IT05785
0
50
200
400
350
300
250
100
150
--60
--20
--40
0
20406080
100
0
80
60
40
20
140
120
200
100
160
180
RDS(on) -- Ta
IT05786
Ta=25
°C
VOUT=0.1!VDD
Ta=
--25
°C
25
°C
75
°C
VOUT=0.2!VDD
Ta=
--25
°C
25
°C
75
°C
IOUT=1mA
10mA
5V
/ 1mA
10V /
2.5mA
15V / 5mA
25V / 10mA
Output
Current,
I
OUT
--
mA
DC Supply Voltage, VDD -- V
Output
Current,
I
OUT
--
mA
DC Supply Voltage, VDD -- V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Ambient Temperature, Ta --
°C
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4AV11A | PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT |
| 4AV12A | PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT |
| 4AV12C | PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT, 2.5-2.5mm, 8mA, RECTANGULAR, THROUGH HOLE |
| 4B06B-DR1-12R5LF | TELECOM, SURGE PROTECTION CIRCUIT, SMA6 |
| 4B06B-DR1-12R5 | TELECOM, SURGE PROTECTION CIRCUIT, SMA6 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 4AM04MH5 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:4AM04MH5 |
| 4AM11 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array |
| 4AM12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 4AM13 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | SIP |
| 4AM14 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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