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參數(shù)資料
| 型號： | 4AM03MH5 |
| 元件分類： | 門電路 |
| 英文描述： | 4A SERIES, 1-INPUT NON-INVERT GATE, PDSO5 |
| 封裝： | MCPH-5 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 4AM03MH5 |
4AM03MH5
No.7432-3/5
Block Diagram
Buffer (Open Drain)
Low-side Switch (Inverter input)
Switching Time Test Circuit
Switching Time Wave Form
VDD
OUT
CL=10pF
IN
RL
Input
10ns
Output
10%
50%
tPZL
tPLZ
GND
VOL
VDD
02
14
36
58
9
710
0
20
10
30
40
60
50
70
80
0
10
20
30
60
70
40
50
80
0
1
2
3
4
6
7
8
9
11121314
10
15
5
IOUT -- VOUT
IT05781
IT05782
IOUT -- VOUT
IT05779
IT05780
VDD=10V
Ta= --25°C
25
°C
75
°C
8
24
369
15
14
11
12
13
01
5
7
10
0
40
50
60
70
10
20
30
80
VDD=15V
Ta=
--25
°C
25
°C
75°
C
VDD=25V
T
a=
-
-25
°C
75
°C
25
°C
Output Voltage, VOUT -- V
Output
Current,
I
OUT
--
mA
Output Voltage, VOUT -- V
Output
Current,
I
OUT
--
mA
Output Voltage, VOUT -- V
Output
Current,
I
OUT
--
mA
Output Voltage, VOUT -- V
Output
Current,
I
OUT
--
mA
0
2
4
6
10
8
14
12
20
18
16
3
15
4
02
VDD=5V
Ta= --25°C
75
°C
25
°C
5
VDD
OUT
123
NC
IN
GND
54
VDD
OUT
123
NC
IN
GND
4
Equivalent Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4AV11A | PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT |
| 4AV12A | PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT |
| 4AV12C | PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT, 2.5-2.5mm, 8mA, RECTANGULAR, THROUGH HOLE |
| 4B06B-DR1-12R5LF | TELECOM, SURGE PROTECTION CIRCUIT, SMA6 |
| 4B06B-DR1-12R5 | TELECOM, SURGE PROTECTION CIRCUIT, SMA6 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 4AM04MH5 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:4AM04MH5 |
| 4AM11 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array |
| 4AM12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 4AM13 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | SIP |
| 4AM14 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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