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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK131 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | MOS場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 3SK131 |
4
3SK131
NOISE FIGURE vs. DRAIN CURRENT
I
D
-Drain Current=mA
2
4
6
8
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
N
0
1
2
3
4
N
V
DS
= 10 V
V
G2S
= 5 V
V
DS
= 5 V
V
G2S
= 3 V
f = 200 MHz
NOISE FIGURE, POWER GAIN vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
V
G2S
-Gate 2 to Source Voltage-V
0
1
1
2
3
4
5
6
7
8
10
0
10
20
30
G
p
-
V
DS
= 10 V
V
DS
= 5 V
f = 200 MHz
G
ps
NF
TEST CIRCUIT
V
G2S
INPUT
OUTPUT
7 pF
7 pF
1000 pF
1000 pF
1000 pF
1000 pF
1000 pF
1000 pF
1000 pF
15 pF
50
50
22 k
200
22 k
15 pF
V
G1S
L
1
L
2
L
3
V
DS
TEST CONDITION
V
DS
= 10 V, V
G2S
= 5 V, I
D
= 10 mA
f = 200 MHz
L
1
:
0.6 mm U.E.W. 7 mm 3T
L
2
:
0.6 mm U.E.W. 7 mm 3T
L
3
:
RFC 2.2 H
φ
φ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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