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參數(shù)資料
| 型號： | 3LP02N |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET) |
| 中文描述： | 個P - MOSFET的超高通道硅高速開關(guān)應(yīng)用（超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | 3LP02N |
No.6553-2/4
3LP02N
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
0V
--4V
VIN
P.G
50
G
D
ID= --100mA
RL=150
VOUT
VDD= --15V
3LP02N
S
VIN
r
m
a
P
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--0.2
DS
– V
--0.10
--0.4
--0.6
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
ID -- VDS
VGS= --1.5V
--3.5V
-.V
-20V
-40
-30V
-25V
0
--0.5
--2.5
--3.0
--3.5
0
--0.05
--0.10
--0.15
--0.20
--0.25
--0.30
--0.35
--0.40
ID -- VGS
VDS= --10V
0
0
--1
1
--2
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
2
3
4
5
6
7
8
--7
--8
--9
IT00239
--10
RDS(on) -- VGS
Ta=25
°
C
--50mA
ID= --100mA
1.0
--0.01
--0.1
2
3
2
3
5
10
7
5
3
2
RDS(on) -- ID
VGS= --4V
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
7
°
C
2
°
C
T-
°
C
IT00237
IT00238
IT00240
D
D
D
D
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
S
O
D
S
O
D
Drain Current, I
D
– A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3LP02SP | P-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET) |
| 3LP03M | 3LP03M |
| 3LP03SS | P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| 3LP04MH | P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3LP02N-AA | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETP CH50V0.14ATO-92 |
| 3LP02SP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 3LP03M | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:3LP03M |
| 3LP03M-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 30V 0.25A SOT89 |
| 3LP03SS | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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