參數(shù)資料
型號(hào)： 3LP01M
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： P-Channel Silicon MOSFET
中文描述： P溝道MOSFET的硅
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 28K
代理商： 3LP01M
3LP01M
No.6139-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
10.4
15.4
Unit
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--50mA, VGS=--4V
ID=--30mA, VGS=--2.5V
ID=--1mA, VGS=--1.5V
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
IS=--100mA, VGS=0
8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Static Drain-to-Source On-State Resistance
11
27
7.5
5.7
1.8
24
55
120
130
1.43
0.18
0.25
0.83
54
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Marking : XA
1.2
Switching Time Test Circuit
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
0V
--4V
VIN
P.G
50
G
D
ID= --50mA
RL=300
VOUT
VDD= --15V
3LP01M
S
VIN
0
0
--0.01
--0.02
--0.03
--0.04
--0.06
--0.07
--0.08
--0.09
--0.10
--0.4
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--0.05
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
ID -- VDS
VGS= --1.5V
--3.5V
-.V
--2.0V
-.V
-30V
-25V
0
--0.5
--1.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--4.0
--3.5
0
--0.02
--0.04
--0.06
--0.08
--0.10
--0.12
--0.14
--0.16
--0.18
--0.20
ID -- VGS
VDS= --10V
0
0
--1
--2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--3
5
--4
10
--5
15
20
25
--6
30
--7
--8
--9
IT00079
--10
RDS(on) -- VGS
Ta=25
°
C
ID=30mA
50mA
RDS(on) -- ID
IT00077
IT00080
IT00078
T 2
°
C
25
°
C
7
°
C
S
O
S
O
D
D
Drain Current, ID -- A
--0.01
1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
VGS= --4V
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
3LP01N P-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET)
3LP01SS Ultrahigh-Speed Switching Applications
3LP02C P ?`???l??MOS ?`?V???R???d?E?????g?????W?X?^ ???????X?C?b?`???O?p
3LP02N P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET)
3LP02SP P-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
3LP01M_12 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
3LP01M-TL-E 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
3LP01M-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
3LP01M-TL-HX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSF P CH 30V 100MA MCP
3LP01N 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*