參數(shù)資料
型號： 2STW1693
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 150K
代理商： 2STW1693
2STW1693
Electrical characteristics
3/9
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = -100 V
-0.1
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = -6 V
-0.1
A
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = -1 mA
-6
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = -100 A
-100
V
V(BR)CEO
Collector-emitter breakdown
voltage (IB = 0)
IC = -50 mA
-80
V
VCE(sat)
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤ 1.5%
Collector-emitter saturation
voltage
IC = -2 A
IB = -200 mA
IC = -6 A
IB = -600 mA
-0.6
-1.5
V
VBE
(1)
Base-emitter voltage
VCE = -4 V
IC = -6 A
-1.5
V
hFE
DC current gain
IC = -2 A
VCE = -4 V
50
120
fT
Transition frequency
IC = -0.5 A
VCE = -12 V
20
MHz
CCBO
Collector-base capacitance
(IE = 0)
VCB = -10 V
f = 1 MHz
80
pF
ton
tstg
tf
Resistive load
Turn-on time
Storage time
Fall time
IC = -3 A
VCC = -30 V
IB1 = -IB2 = -0.3 A
0.18
0.6
0.09
ns
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PDF描述
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