參數(shù)資料
型號： 2STW1693
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： 2STW1693
October 2008
Rev 2
1/9
9
2STW1693
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
Features
■ High breakdown voltage VCEO = -80 V
■ Complementary to 2STW4466
■ Typical ft = 20 MHz
■ Fully characterized at 125 oC
Applications
■ Audio power amplifier
Description
The device is a PNP transistor manufactured in
low voltage planar technology using base island
layout. The resulting transistor shows good gain
linearity coupled with low VCE(sat) behaviour.
Recommended for 40W to 70W high fidelity audio
frequency amplifier output stage.
Table 1.
Device summary
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-247
1
2
3
Order code
Marking
Package
Packaging
2STW1693
TO-247
Tube
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2STX2360 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2WX03101-1801-4F PCB CONNECTOR
2WX03101-1801-7F PCB CONNECTOR
4.000MHZHC49/T/50/7.5/10/50PF/ATF QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4 MHz
45.000MHZHC-50/3/3/10/30PF/ATF QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 45 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2STW1695 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STW1695_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
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2STW4466 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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