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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK826 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 15 A, 450 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 3465K |
| 代理商： | 2SK826 |
Fig7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4
AP9U18GH
0
3
6
9
12
15
0
1020304050
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
Ga
te
to
So
urce
Vo
lta
g
e(
V
)
V DS =16 V
I D =18 A
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
No
rm
a
lized
T
h
erm
a
lResp
o
n
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK830 | 15 A, 500 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK833 | 5 A, 900 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK871 | 4 A, 900 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK880GTE85L | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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