參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK741
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 39K
代理商： 2SK741
2SK741
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
8
6
4
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Pulse Test
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –5 V
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
0.05
0.02
0.01
0.2
0.1
0.5
D = 1
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 2.5°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
PW
T
D =
T
PW
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
S
1 Shot Puse
T
C
= 25°C
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PDF描述
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