參數(shù)資料
型號： 2SK741
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SK741
2SK741
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
5,000
2,000
500
200
100
50
1,000
0.5
1.0
2
5
10
20
50
di/dt = 50 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
Typical Capacitance
vs.Drain to Source Voltage
10,000
1,000
100
10
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
Crss
V
= 0
f = 1 MHz
Coss
Ciss
Dynamic Input Characteristics
500
400
300
200
100
0
8
16
24
32
40
Gate Charge Qg (nc)
20
16
12
8
4
0
G
G
50 V
V
DD
= 200 V
V
DS
I
D
= 7 A
V
GS
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
D
D
100 V
Switching Characteristics
500
100
50
20
10
5
0.2
200
S
0.5
1.0
2
5
20
Drain Current I
D
(A)
t
d (on)
10
t
d (off)
t
r
V
GS
= 10 V
PW = 2
μ
s, duty 1 %
<
t
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK771 CAPACITOR, 15000UF 25V CAPACITOR, 15000UF 25V; CAPACITANCE:15000UF; VOLTAGE RATING, DC:25V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ALUMINIUM ELECTROLYTIC; SERIES:LLS; TEMP, OP. MAX:85(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-40(DEGREE C); TOLERANCE, :20%; RoHS Compliant: Yes
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