參數(shù)資料
型號： 2SK740
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 47K
代理商： 2SK740
2SK740
6
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Pulse Test
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –5 V
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
0.05
0.02
0.01
0.2
0.1
0.5
D = 1
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 2.5°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
PW
T
D =
T
PW
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
S
1 Shot Puse
T
C
= 25°C
Vin Monitor
Vout Monitor
R
L
50
Vin = 10 V
D.U.T
V
= 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
90 %
90 %
tr
10 %
td (on)
td (off)
tf
Vout
10 %
Wavewforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK741 Silicon N-Channel MOS FET
2SK771 CAPACITOR, 15000UF 25V CAPACITOR, 15000UF 25V; CAPACITANCE:15000UF; VOLTAGE RATING, DC:25V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ALUMINIUM ELECTROLYTIC; SERIES:LLS; TEMP, OP. MAX:85(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-40(DEGREE C); TOLERANCE, :20%; RoHS Compliant: Yes
2SK772 AF Amp Applications
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