參數(shù)資料
型號： 2SK4204LS
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 45 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220FI(LS), 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 272K
代理商： 2SK4204LS
Data Sheet D14753EJ1V0DS
3
2SK3456
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
0
20
30
40
10
20
30
5
15
25
35
VGS = 20 V
Pulsed
10 V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
VGS
- Gate to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
0.001
0.1
0.01
1
10
100
010
515
50C
25C
125C
75C
TA = 150C
Pulsed
VDS = 10 V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature - C
V
GS(off)
-
Gate
to
Source
Cut-off
Voltage
-
V
VDS = 10 V
ID = 1 mA
50
0
150
50
0
1.0
100
2.0
3.0
4.0
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
|y
fs
|-
Forward
Transfer
Admittance
-
S
ID - Drain Current - A
1
0.1
0.01
10
100
10
100
0.1
25C
75C
125C
TA =
50C
150C
VDS = 10 V
Pulsed
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
VGS - Gate to Source Voltage - V
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-State
Resistance
-
0
5
0.4
10
15
20
1.2
1.4
0.8
0.2
1.0
0.6
Pulsed
6.0 A
2.4 A
ID = 12 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
ID - Drain Current - A
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
1
0.1
1.5
0.9
0.3
0
1.2
0.6
10
100
Pulsed
VGS = 10 V
20 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E1-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4221 26 A, 500 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK4207 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Swiching Regulator Applications
2SK4207(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-ch 900V 13A150W TO-3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK4209 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK421 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220VAR
2SK4210 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*