參數資料
型號： 2SK4204LS
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 45 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220FI(LS), 3 PIN
文件頁數： 2/3頁
文件大?。?/td> 272K
代理商： 2SK4204LS
2SK4204LS
No. A1290-2/5
16.
0
14.
0
3.
6
3.
5
7.
2
16.
1
0.7
2.55
2.
4
1.2
0.9
0.75
0.
6
1.2
4.5
2.8
12 3
10.0
3.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-220FI(LS)
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=10A
915
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=10A, VGS=10V
17.5
23
mΩ
RDS(on)2
ID=10A, VGS=4V
25.5
36
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
2250
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
260
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
190
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
21
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
78
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
152
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
88
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=24V, VGS=10V, ID=20A
41
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=24V, VGS=10V, ID=20A
8
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=24V, VGS=10V, ID=20A
8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=20A, VGS=0V
1.0
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7509-002
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=10A
RL=2.4Ω
VDD=24V
VOUT
2SK4204LS
VIN
10V
0V
VIN
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
50Ω
10V
0V
≥50Ω
VDD
L
2SK4204LS
相關PDF資料
PDF描述
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E1-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4221 26 A, 500 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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