參數(shù)資料
型號： 2SK4202-S19-AY
元件分類： JFETs
英文描述： 84 A, 60 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： 2SK4202-S19-AY
Data Sheet D19229EJ1V0DS
3
2SK4202
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-Percen
tage
of
Rated
Po
wer
-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125 150
175
TC - Case Temperature -
°C
P
T
-T
otal
Power
Dissipati
on
-
W
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125 150
175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-Drain
Curren
t-
A
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
ID(DC)
ID(pulse)
DC
TC = 25
°C
Single Pulse
PW
= 1
i
00
μs
1
i m
i
s
1
i
0
m
i
s
RD
S(
on
) L
im
ite
d
(V
GS
= 1
i 0
V)
Pow
er
D
iss
ip
ati
on
Lim
ite
d
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th
(t
)-
Tr
a
nsi
ent
T
herm
al
Res
istance
-
°C/W
0.1
1
10
100
1000
Single pulse
Rth(ch-A) = 83.3
°C/Wi
Rth(ch-C) = 1.20
°C/Wi
PW - Pulse Width - s
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK4204LS 20 A, 45 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E1-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4212-ZK-E2-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK4203LS 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
2SK4204LS 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
2SK4207 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Swiching Regulator Applications
2SK4207(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-ch 900V 13A150W TO-3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK4209 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*