參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK4092-A
元件分類： JFETs
英文描述： 21 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, MP-88, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： 2SK4092-A
Data Sheet D18776EJ1V0DS
2
2SK4092
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 600 V, VGS = 0 V
10
μA
Gate Leakage Current
IGSS
VGS =
±30 V, VDS = 0 V
±100
nA
Gate to Source Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
2.5
3.0
3.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |
VDS = 10 V, ID = 10 A
4.0
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)
VGS = 10 V, ID = 10 A
0.34
0.4
Ω
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V,
3240
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V,
550
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
3
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD = 150 V, ID = 10 A,
38
ns
Rise Time
tr
VGS = 10 V,
15
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 10
Ω
58
ns
Fall Time
tf
12
ns
Total Gate Charge
QG
50
nC
Gate to Source Charge
QGS
24
nC
Gate to Drain Charge
QGD
VDD = 450 V,
VGS = 10 V,
ID = 21 A
17
nC
Body Diode Forward Voltage
Note
VF(S-D)
IF = 21 A, VGS = 0 V
0.9
1.5
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 21 A, VGS = 0 V,
480
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
μs
6000
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
RG = 25
Ω
50
Ω
PG.
L
VDD
VGS = 20
→ 0 V
BVDSS
IAS
ID
VDS
Starting Tch
VDD
D.U.T.
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
μ
Duty Cycle
≤ 1%
τ
PG.
50
Ω
D.U.T.
RL
VDD
IG = 2 mA
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS
VDS
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
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PDF描述
2SK4092-A 21 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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