參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK4090-ZK-E1-AY
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝： LEAD FREE, MP-3ZK, TO-252, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： 2SK4090-ZK-E1-AY
Data Sheet D18634EJ1V0DS
4
2SK4090
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Drain
Current
-
A
0
50
100
150
200
250
01
23
VGS = 10 V
4.5 V
Pulsed
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-Drain
Current
-
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
012
3
4
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS(
off
)–
Gate
to
Sour
ce
Cut-off
V
oltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-75
-25
25
75
125
175
VDS = VGS
ID = 250
μA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
For
w
ard
Transfer
A
dmi
ttanc
e-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
25°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
R
D
S
(on)
-Dr
ai
nto
Sourc
eOn-st
ate
Re
sist
ance
-m
Ω
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 30 A
VGS – Gate to Source Voltage - V
R
D
S
(on)
-Dr
ai
nto
Sourc
eOn-st
ate
Re
sist
ance
-m
Ω
0
10
20
30
1
10
100
1000
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK4143-S17-AY 20 A, 60 V, 0.078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK4203LS 18 A, 45 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK707 25 A, 250 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK801-Z 2 A, 30 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK801-Z-T1 2 A, 30 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK4090-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK4091-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK4091-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK4092 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK4092-A 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*