參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK4070(1)-S27-AY
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
封裝： LEAD FREE, MP-3-B, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： 2SK4070(1)-S27-AY
Data Sheet D18785EJ2V0DS
5
2SK4070
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
R
D
S
(on)
-
Drain
to
Sou
rce
O
n
-s
tate
Resis
tance
-
Ω
0
5
10
15
20
25
-50
0
50
100
150
ID = 1.0 A
0.5 A
VGS = 10 V
Pulsed
Tch - Channel Temperature -
°C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s-
Capacitance
-
pF
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Ciss
Coss
Crss
VGS = 0 V
f = 1 MHz
VDS - Drain to Source Voltage – V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d
(on)
,t
r,
t
d(of
f)
,t
f-
S
w
itching
Time
-
ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
tr
td(off)
td(on)
tf
VDD = 150 V
VGS= 10 V
RG = 10
Ω
ID - Drain Current - A
V
DS
–
Dr
ai
n
to
S
ource
Voltage
-
V
0
100
200
300
400
500
600
0123
456
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS
VGS
ID = 1.0 A
VDD = 450 V
250 V
150 V
QG – Gate Chage - nC
V
GS
–
G
ate
to
Source
V
o
ltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVWESE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
–
Diode
Forward
Current
-
A
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VGS = 10 V
0 V
Pulsed
VF(S-D) – Source to Drain Voltage - V
t
rr–
Rev
e
rse
R
e
covery
Time
-
n
s
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μs
VGS = 0 V
IF – Diode Forward Current - A
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PDF描述
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