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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK4069-S15-AY |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-251, MP-3-B, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | 2SK4069-S15-AY |
Data Sheet D18032EJ2V0DS
5
2SK4069
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
Ω
0
5
10
15
20
25
30
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175
10 V
VGS = 4.5 V
ID = 15 A
Pulsed
Tch - Channel Temperature - °C
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-Capacitance
-pF
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(
on)
,t
r,t
d(
off)
,t
f-
Swi
tching
Time
-ns
1
10
100
0.1
1
10
100
tr
td(off)
td(on)
tf
VDD = 12 V
VGS = 12 V
RG = 3
Ω
ID - Drain Current - A
V
DS
-
D
rain
to
So
urce
Voltage
-
V
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
12
14
VDD = 20 V／ID = 30 A
12 V／30 A
5 V／22.5 A
VDS
VGS
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gate
to
So
urce
Voltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F-
Diode
Fo
rwa
rd
Curren
t-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
00.5
11.5
VGS = 10 V
0 V
Pulsed
4.5 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
t
rr-
Rev
ers
eRec
ov
ery
Ti
me
-ns
1
10
100
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μs
VGS = 0 V
IF - Diode Forward Current - A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SK4069-ZK-E2-AY | 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
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| 2SK4071-AZ | 1000 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK4070 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK4070(1)-S27-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK4070-S15-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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