參數(shù)資料
型號： 2SK3984-ZK
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 18000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 173K
代理商： 2SK3984-ZK
Data Sheet D18785EJ2V0DS
4
2SK4081
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Drain
Current
-
A
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
35
Pulsed
10 V
VGS = 20 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-Drain
Current
-
A
0.01
0.1
1
10
0
4
8
121620
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
40°C
25°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS
(o
ff)
-
Gate
to
Sour
ce
Cut-off
V
oltage
-
V
0
1
2
3
4
5
6
-75
-25
25
75
125
175
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
Forward
T
ransfer
Admittance
-
S
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
40°C
25°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
R
D
S
(on)
-Drai
nto
Source
O
n-state
Res
istanc
e-
Ω
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 2.0 A
1.0 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
R
D
S
(on)
-Drai
nto
Source
O
n-state
Res
istanc
e-
Ω
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
20 V
VGS = 10 V
Pulsed
ID - Drain Current - A
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