參數(shù)資料
型號： 2SK3926-01MR
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述： 34 A, 250 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： 2SK3926-01MR
2
Characteristics
2SK3926-01MR
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
20V
10V
7.5V
7V
6.5V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
VGS=6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.1
1
10
100
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
10V
20V
8V
7.5V
7.0V
VGS=6.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=17A,VGS=10V
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PDF描述
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