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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3899-ZK |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | 2SK3899-ZK |
Data Sheet D17174EJ1V0DS
5
2SK3899
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
2
4
6
8
10
12
-75
-25
25
75
125
175
I
D
= 42 A
Pulsed
10 V
V
GS
= 4.5 V
T
ch
- Channel Temperature - °C
C
i
,
o
,
r
10
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
V
DD
= 30 V
V
GS(on)
= 10 V
R
G
= 0
I
D
- Drain Current - A
V
D
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
V
DD
= 48V
30V
12V
I
D
= 84 A
V
GS
Q
G
- Gate Charge - nC
V
G
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 10 V
0 V
Pulsed
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
t
r
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
F
- Diode Forward Current - A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3899 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3900 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3900-ZP | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3901 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3901-ZK | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3899-ZK-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK389BL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK3902-ZK-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SK3903(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 600V 14A 0.44@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-3PN 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) |
| 2SK3904(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 450V 19A 0.26@10V TO3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 450V 19A 0.26@10V TO3P(N) Bulk |
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