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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3811-ZP |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | 2SK3811-ZP |
Data Sheet D16737EJ1V0DS
7
2SK3811
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZP)
10.0±0.3
8
2.54
0.75±0.2
9
2
1
1
2
4
2
4.45±0.2
1.3±0.2
0.6±0.2
0 to 8
o
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
No plating
7.88 MIN.
0.025 to
0.25
0.25
1
3
0.5
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Source
Body
Diode
Gate
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3812 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3812-ZP | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3814 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3814-Z | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3822 | General-Purpose Switching Device Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK3812-ZP-A E2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3812-ZP-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3812-ZP-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3812-ZP-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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