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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3778-01 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | 59 A, 250 V, 0.053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 106K |
| 代理商： | 2SK3778-01 |
2
Characteristics
2SK3778-01
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
5
10
0
20
40
60
80
100
120
7V
20V
10V
8V
6.5V
VGS=6.0V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
100
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
8V
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
10V
20V
7V
6.5V
VGS=6V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.05
0.10
0.15
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=29.5A,VGS=10V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3779-01R | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK3780-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 29 Milliohms;ID 73A;TO-247;PD 410W;VGS +/-3 |
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| 2SK3789-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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