參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3770-01MR
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 26 A, 120 V, 0.078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： 2SK3770-01MR
2
Characteristics
2SK3770-01MR
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
PD
[
W
]
Tc [
°C]
0
1
23
45
6
0
10
20
30
40
50
60
6.0V
7.0V
7.5V
20V
10V
8.0V
6.5V
VGS=5.5V
ID
[
A
]
VDS [V]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
s pulse test,Tch=25 °C
012
345
678
9
10
0.1
1
10
100
ID
[A]
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
s pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
fs
[S
]
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
s pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0
1020
304050
60
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
7.5V
6.0V
RDS
(o
n
)[
]
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
s pulse test,Tch=25 °C
10V
20V
8.0V
7.0V
6.5V
VGS=5.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
RD
S
(o
n
)[
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=13A,VGS=10V
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PDF描述
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