參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3753-01R
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 13 A, 600 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： 2SK3753-01R
3
2SK3753-01R
FUJI POWER MOSFET
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
RD
S
(o
n
)[
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=6A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA
VGS(th
)[V]
Tch [
°C]
0
10
2030
40
5060
7080
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS=f(Qg):ID=12A,Tch=25
°C
VGS
[V]
480V
300V
Vcc= 120V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1p
10p
100p
1n
10n
C
[
F
]
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
IF
[A]
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
IF=f(VSD):80
s pulse test,Tch=25°C
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
Typical Switching Characteristics vs. ID
t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=10
td(on)
tr
tf
td(off)
t[n
s]
ID [A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3756 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
2SK3770-01MR 26 A, 120 V, 0.078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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2SK3813-Z 60 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
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