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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3554 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET硅 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | 2SK3554 |
4
2SK3554-01
FUJI POWER MOSFET
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25°C. Vcc=48V
A
A
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
t
AV
[sec]
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-3
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10
-1
10
0
10
1
Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=0
Z
t [sec]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3554-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3556-01L | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3556-01S | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3556-01SJ | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3556 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3554-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 250V;RDS(ON) 75 Milliohms;ID +/-37A;TO-220AB;PD 270W;-55 |
| 2SK3554-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3555-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3557-6-TB-E | 功能描述:射頻JFET晶體管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2SK3557-7-TB-E | 功能描述:MOSFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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