參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3479-Z-E2-AZ
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數(shù): 6/10頁
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描述: MOSFET 100V N-CH TO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 83A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 42A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 11000pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263,TO-220SMD
包裝: 帶卷 (TR)